A5站长网10月13日消息，长鑫存储在服务器内存上要迈一步。在第四届集成芯片和芯粒大会上，公司总裁曹堪宇披露，自研的4F² DRAM架构已经取得突破，预计年底会拿出采用这套架构的新一代服务器内存产品，第一条产品线就是DDR5规格的RDIMM。这家公司过去的产品大多落在消费电子与移动端，把首代新架构产品直接定在服务器上，等于把主战场挪到了技术壁垒更高的一侧。
4F²说的是存储单元的面积。F代表最小特征尺寸，也就是光刻工艺能实现的最小线宽或者间距。一个存储单元通常由一个晶体管加一个电容器组成，4F²意味着每个单元只占4倍最小特征尺寸的平方，而行业主流的6F²架构要多出两个单位。单元面积缩下来，同样大的晶圆上就能容纳更多单元，存储密度随之上去。
从6F²跨到4F²并不轻松，它要求晶体管沟道从水平摆放改成竖立布置，上一代的设计和工艺流程没法完全照搬。长鑫的解法是自研的VSG垂直包围沟道晶体管，栅极从四周把沟道包起来，栅控能力更强，漏电和短沟道效应这两处痛点因此缓解，竖起来的形态也帮着压缩单元面积。另一手是把存储阵列与外围逻辑电路分开制造，再通过晶圆级混合键合连起来，让存储密度和逻辑性能各自优化。曹堪宇说，围绕这套4F²架构，公司已经公开的专利族有300多件。
服务器内存的验收标准跟消费级完全是两回事。DDR5规格的RDIMM要在服务器里7×24小时不间断高强度运行，要扛得住维护时带电热插拔的瞬间电压冲击，要跟不同厂商、不同代际的处理器和主板跑完数百项兼容性测试，还要保证高速信号在较长的模组走线上不衰减、不误码。消费级产品比的是跑得快，这类产品比的是跑得久、不出错、放在哪儿都能跑。
放到全球盘子里看，长鑫的分量还在往上走。按Counterpoint的数据，长鑫科技今年第二季度在全球DRAM市场的份额为7%，排在第四。此前LPDDR6与第五代DRAM平台G5都已进入量产。不过研发突破和年底拿出样品，跟大批量稳定供货之间还隔着可靠性验证、厂商适配和良率成本这几道关。DRAM正处在周期回暖阶段，AI服务器把存储需求往上推了一把，能不能接住这波订单，考验的是工程化能力，不是实验室里那一版数据。
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