当前，AI芯片功耗持续攀升，CoWoS等主流封装方案的硅中介层已触及散热极限，材料创新成为破解先进封装瓶颈的核心。据Fortune Business Insights数据，2025年全球先进封装市场规模达423亿美元，预计2034年增至704亿美元。高算力时代下，先进封装产业迎来广阔发展空间。
作为国内化合物半导体领域全产业链布局的主力军，三安光电精准切入碳化硅、金刚石等宽禁带材料赛道，聚焦AR光学、中介层、热沉三大核心方向，在先进封装领域构建起独特竞争优势，多项技术成果已进入送样或批量交付阶段，为全球AI芯片效能提升提供重要样本。
AR光学衬底：宽禁带材料赋能，夯实光学封装基础
AR光学衬底方面，碳化硅折射率达2.7（传统玻璃约2.0），热导率超玻璃百倍，兼具优异光学与导热性能。三安光电具备Micro LED和碳化硅光学材料综合服务能力，目前8英寸光学碳化硅衬底已通过客户验证，12英寸产品已实现小批量交付，为AR设备性能升级提供核心材料支撑。
碳化硅中介层：精准破解散热痛点，适配高端AI封装需求
碳化硅中介层可精准破解散热痛点，其热导率约为硅的3倍，能使GPU结温降低20–30°C，散热成本下降约30%。目前，三安光电12英寸碳化硅衬底正配合头部客户开展下一代AI芯片封装验证，有望成为先进封装方案的主流选择。
热沉领域：双材料并行布局，满足多元散热需求
热沉领域，三安光电采用金刚石、碳化硅双路线并行，覆盖多元散热需求。其中，金刚石热沉基板热导率达2300W/(m•K)，在大功率激光器应用中较陶瓷基板热阻大幅降低，已通过1000小时老化测试并批量交付；碳化硅热沉产品已完成送样测试，逐步推进商业化落地。
全链产能布局：筑牢供给保障，支撑技术规模化落地
产能布局是技术落地的重要支撑，三安光电已构建湖南、重庆两大核心生产基地，形成从衬底到模块的全链条自主制造能力。湖南基地6英寸碳化硅芯片月产能达16000片，8英寸衬底月产能1000片、外延月产能2000片，8英寸芯片产线已通线量产；重庆基地8英寸衬底月产能3000片，产能逐步释放，补强大尺寸碳化硅材料供给。湖南三安的碳化硅二极管已形成覆盖650V至2000V的全电压产品梯度，累计出货达4亿颗，投产三年内累计销售收入近20亿元，在国内碳化硅功率器件市场具备领先产业实力，为先进封装材料产业化提供了坚实的市场根基。
以宽禁带技术为核，筑牢先进封装材料底盘。前瞻布局前沿新工艺，三安光电将持续领跑核心材料突破，以中国方案支撑全球AI芯片效能升级，驱动先进封装产业向高端跨越。
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